在接晶振(11.9)時沒有30pf左右的電容，可以用0.22uf代替？

ID:634875 · 發表于 2019-11-7 00:31

如題

ID:491875 · 發表于 2019-11-7 07:27

肯定不行！

ID:235200 · 發表于 2019-11-7 07:46

一般情況下是可以的,33pF的也可以,電容是輔助晶振起振的,只要晶振起振了都可以

ID:10193 · 發表于 2019-11-7 07:47

晶振兩端的等效電容與晶振標稱的負載電容存在差異時，晶振輸出的諧振頻率將與標稱工作的工作頻率產生一定偏差（又稱之為頻偏），所以合理匹配合適的外加電容使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容顯得十分重要。一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高

ID:275826 · 發表于 2019-11-7 08:03

不能代替喲

ID:584814 · 發表于 2019-11-7 08:06

30pf左右是指上下偏差不大，.22這個偏差是多少算過么 ?
再好理論不過實踐，你試一下就知道了，萬一真的也好用呢

ID:285863 · 發表于 2019-11-7 08:07

可以主要看mcu的要求了

ID:342822 · 發表于 2019-11-7 08:29

沒有就不用

ID:25310 · 發表于 2019-11-7 08:29

0.22 是 22000P 啊兄dai

ID:277550 · 發表于 2019-11-7 09:03

15p~33p
這個范圍

ID:7485 · 發表于 2019-11-7 09:20

1uf(微法) =1000nF(納法) ，1nf(納法)=1000pF(皮法)，uf和pf差100萬倍。

這些基礎知識還是必要的。

ID:601639 · 發表于 2019-11-7 09:29

肯定不行啊，差的太多了。

ID:142699 · 發表于 2019-11-7 09:57

太大了,mcu跑步起來的.你用pf級別的代替可能可以.

ID:511501 · 發表于 2019-11-7 10:01

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，單片機內部有相應的整形電路。

ID:66761 · 發表于 2019-11-7 16:30

不建議這樣使用，可能會出現不起振或者頻偏等不可控現象

ID:123289 · 發表于 2019-11-8 11:27

樓上一定不知道為什么要接30p的電容，先去網搜一下。

ID:560467 · 發表于 2019-11-8 12:18

不行，你這個太大了肯定用不了的，不行你換芯片啊stc15的可以直接使用內部晶振，精準度還可以的

ID:524818 · 發表于 2019-11-8 12:54

差距有點太大了吧

ID:516863 · 發表于 2019-11-8 12:56

沒有電子技術基礎，請不要碰硬件！

ID:307020 · 發表于 2019-11-11 14:10

一般是幾p到幾十p的電容，加的一側會有些延時，不加也行，實際上使用電路的分布電容，DS1302 DataSheet推薦電路中晶振兩側各加7p負載電容，但實際實收模塊上，商家為降低成本略去了，因而偏快，如果對時序要求不嚴也無所謂了。

ID:525068 · 發表于 2019-11-11 16:15

我們通常用得是20~33PF

帳號		自動登錄	找回密碼
密碼			立即注冊

久久久久久久999_99精品久久精品一区二区爱城_成人欧美一区二区三区在线播放_国产精品日本一区二区不卡视频_国产午夜视频_欧美精品在线观看免费