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關于MOS管反接保護電路,二極管和三極管在這里的作用

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ID:585052 發表于 2021-4-1 10:24 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
以上是英飛凌給的TLE987X的反接保護電路,12V系統。mos S極是Vbat,D極是負載。Rrp1電阻右邊是MCU升壓電路得到的電壓,應該在24V左右,反接時不輸出電壓。求教二極管和三極管在這里的作用
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ID:702386 發表于 2021-4-1 12:43 | 顯示全部樓層
我來說說,不一定對哈。發生充電器反接時,電池負極接成了充電器正極,會通過基極電阻產生基極電流使三極管導通并將MOS的G極電位拉低,以關斷MOS實現保護。二極管的作用是在MOS關斷瞬間,阻止反向尖峰損壞三極管等器件。

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ID:97838 發表于 2021-4-1 17:30 | 顯示全部樓層
實際上內部VCP是通過二極管鉗位到地的。電池反接時,三極管導通,相當于把mosfet及以后的電路短路了,對后級電路而言沒有電壓輸出,也就保護了后級電路。

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ID:815949 發表于 2021-4-1 23:08 | 顯示全部樓層
圖中是一顆增強型的NMOS管,正常連接時,G_S電壓超過閾值,管子就導通了,反接時NPN三極管基極高電平則導通,通過二極管續流到地線,G點電位下降,關斷MOS管起到了保護作用,樓上說得對

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ID:796531 發表于 2021-4-2 14:18 | 顯示全部樓層
zsw3721 發表于 2021-4-1 12:43
我來說說,不一定對哈。發生充電器反接時,電池負極接成了充電器正極,會通過基極電阻產生基極電流使三極管 ...

我覺得二極管不是防止尖峰而是 因為三極管Vebo只有5-6v, 正接24v 會擊穿的

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ID:97838 發表于 2021-4-2 16:46 | 顯示全部樓層
二極管(Drp)的作用是防止正常工作時三極管(Trpg)被擊穿,。二極管(Drp)也可以換個位置接到Rrp2和地之間,陽極接地。paladina 說的是對的。

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ID:420836 發表于 2021-4-3 08:55 | 顯示全部樓層
當電池極性反轉時,晶體管TRPG導通并拉低MOSFET柵極的電壓以立即將其關閉。 當電池正常連接時,二極管用于保護晶體管TRPG免受反向電壓的影響。

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ID:161941 發表于 2021-4-3 10:19 | 顯示全部樓層
1防反接 2兼限流

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ID:309610 發表于 2024-8-21 21:18 | 顯示全部樓層
供電正常時MOS內部并聯二極管提供啟動電流,MOS壓降0.7-1V較高,緊接著IC工作VCP自舉升壓。VCP與+BAT之間產生12V電壓 ,通過RP1,加在MOS管GS上,驅動MOS完全導通。MOS壓降極低,壓降可忽略。
無二極管電源電壓經RP1加在三極管發射極。  三極管Vbe反向最多只有8-9V,電源電壓超8V  三極管就會擊穿損壞。
當供電接反時,MOS管S腳對地是負電位。MOS內部并聯二極管不導通  。電流從地到電阻 RP2到三極管Be到二極管Drp到+BAT,形成放大開關電路三極管CE導通,短接MOS的GS。    IC已有反接保護二極管。VCP可認為時浮動狀態或高阻接地。驅動無效。從而保護后級
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ID:344848 發表于 2024-8-22 07:04 | 顯示全部樓層
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ID:1034262 發表于 2024-8-22 09:48 | 顯示全部樓層
仿反接的電路。
電源正常連接時,二極管用于防止輸入電壓反向擊穿三極管的VBE(超過-5V就會開始擊穿),IC通過電容BOOT自舉讓MOSFET導通。
電源反接時,二極管導通,三極管導通,將柵壓VGS嵌位在一個二極管壓降0.6~0.7V,MOSFET不通。
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ID:332444 發表于 2024-8-23 09:36 | 顯示全部樓層
場效應管看GS端就知道是控制開關的,三極管導通VGS電壓減小,至于二極管為反向保護三極管基射極反向耐壓而設,這種場效應管符號在IN仿真軟件一時沒找到.
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