供電正常時MOS內部并聯二極管提供啟動電流,MOS壓降0.7-1V較高,緊接著IC工作VCP自舉升壓。VCP與+BAT之間產生12V電壓 ,通過RP1,加在MOS管GS上,驅動MOS完全導通。MOS壓降極低,壓降可忽略。
無二極管電源電壓經RP1加在三極管發射極。 三極管Vbe反向最多只有8-9V,電源電壓超8V 三極管就會擊穿損壞。
當供電接反時,MOS管S腳對地是負電位。MOS內部并聯二極管不導通 。電流從地到電阻 RP2到三極管Be到二極管Drp到+BAT,形成放大開關電路三極管CE導通,短接MOS的GS。 IC已有反接保護二極管。VCP可認為時浮動狀態或高阻接地。驅動無效。從而保護后級
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