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ARM Cortex-M0+內(nèi)核的特性

作者:huqin   來源:本站原創(chuàng)   點擊數(shù):  更新時間:2014年08月16日   【字體:

 學(xué)習(xí)M0+        

從三個方面學(xué)習(xí)M0+。學(xué)習(xí)M0+芯片手冊,學(xué)習(xí)codewarrior10.4,同時嘗試著上MQX實時系統(tǒng)。
        先學(xué)習(xí)這款M0+內(nèi)核。
        內(nèi)核和架構(gòu):
        ARM Cortex-M0+內(nèi)核,最高可達(dá) 48MHz 且支持存儲器零等待執(zhí)行;
        單周期 I/O 訪問:比標(biāo)準(zhǔn) I/O 最多快 50%;
        提高對外部事件的反應(yīng)時間,并允許 拆位操作和軟件協(xié)議仿真;
        和 8 位/16 位  MCU 相比更優(yōu)秀的代碼密度:能夠減少 Flash 尺寸,系統(tǒng)成本和功耗;
        和 ARM Cortex-M0 內(nèi)核以及 ARM Cortex-M3/M4 子集完全兼容;
        線性 4GB 尋址空間:避免了對分頁的需求,降低了軟件復(fù)雜性;
        ARM 第三方生態(tài)系統(tǒng)支持:軟件和工具版主最大限度減少開發(fā)時間和成本;
                最多 4 通道 DMA 用于極少 CPU 干預(yù)的外設(shè)和存儲器操作;
超低功耗:
        極高動態(tài)效率:32 位M0+內(nèi)核,90納米薄膜存儲(TFS)工藝技術(shù),每 CoreMark 能夠降低 50%功耗;
        UART、SPI、II2C、ADC、DAC、TPM、LPT 和 DMA 支持低功率模式操作,無須喚醒內(nèi)核,Kinetis L系列MCU提供多個低功耗智能外設(shè),即使在MCU處于深度休眠模式時也能維護(hù)正常功能,,因此可實現(xiàn)少消耗多工作。
        DMA控制器、計數(shù)器、定時器、通信接口、ADC、比較器都能夠在不占用CPU 的情況下做出自己的決策。傳統(tǒng)的MCU必須激活主時鐘和處理器內(nèi)核才能執(zhí)行任務(wù),即使是執(zhí)行瑣碎的任務(wù),如發(fā)送或接收數(shù)據(jù)、捕捉或生成波形或模擬信號采樣時也是如此。
        Kinetis L系列外設(shè)不需占用內(nèi)核或主要系統(tǒng)就能執(zhí)行這些功能,從而大大降低能耗并延長電池壽命。
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