摘要
LPC17xx系列MCU都帶有EMC接口，外部動態(tài)存儲器可以通過EMC接口掛載在MCU的地址總線上，然后可以通過直接訪問MCU的地址總線來間接訪問SDRAM了。當(dāng)然在對SDRAM進行操作之前，需要對其進行初始化流程，也就是相當(dāng)于打通EMC接口與SDRAM之間的橋梁。橋梁通了，訪問就不成問題了。
文章預(yù)覽 首先說明的是SDRAM芯片與EMC接口電路連接并沒有特別之處，需要注意的是地址線的連接都是從A0開始依次連接，不需要移位；對于SDRAM芯片的BANK選擇位BA0和BA1引腳依次連接到EMC接口的A13和A14引腳，這個的連接時確定的，不能更改。其他的引腳照常連接。
在進行SDRAM初始化之前需要對EMC模塊的動態(tài)存儲器配置寄存器進行操作，使EMC接口為SDRAM工作。具體的寄存器的設(shè)置值參照具體的SDRAM芯片進行正確配置。
SDRAM的初始化流程其實是幾個命令的依次按順序切換的過程，具體的命令是通過配置EMC的DynamicControl寄存器的7:8位來實現(xiàn)的。下面是SDRAM具體的命令切換過程。
下面對每個過程中需要配置和注意的點進行說明。 1.SDRAM NOP：這是一個不運行命令，此時SDRAM失效；
2.SDRAM PALL：SDRAM預(yù)上電過程，相當(dāng)于SDRAM復(fù)位狀態(tài)，在這個這過程中需要給一定的延時；
3.SDRAM自刷新設(shè)置：在這個過程中，進行SDRAM自刷新周期的設(shè)置，這個時間的設(shè)置還是很重要的，在SDRAM芯片的中可以找到這個時間信息,配置好了之后給一個小延時。 4.SDRAM的模式設(shè)置：這個過程是對SDRAM的模式寄存器進行設(shè)置，這個寄存器設(shè)置了Brust長度、CAS(潛伏延遲)、Brust類型、操作模式以及是運行在單個讀操作還是Brust模式讀操作。這個寄存器的設(shè)置是通過地址線來實現(xiàn)的。在發(fā)出Load Mode Register命令之后，以設(shè)置值經(jīng)過移位處理作為地址，通過讀該地址操作使設(shè)置值傳輸?shù)降刂肪�上，這樣，SDRAM的模式設(shè)置就完成了。
5.正常讀寫操作：初始化過程完成，可以正常對SDRAM進行讀寫操作。
需要注意的是在SDRAM的模式設(shè)置過程中，模式設(shè)置值是對一個12位寄存器進行設(shè)置的，如下圖所示的。進行讀操作的地址是通過公式： Base address+(mode register value<<(Bank bits/2+column bits+bus width/16))計算的。 Base address是選擇的EMC接口映射的總線基地址；Bank bits是對應(yīng)外部存儲芯片的bank數(shù)與2的比值（由SDRAM芯片決定）；Column bits是外部存儲芯片的列數(shù)（由SDRAM芯片決定）；Bus Width是數(shù)據(jù)傳輸位寬；mode register value就是模式設(shè)置值，用戶可根據(jù)外部存儲器以及自己需求對其進行設(shè)置。 
需要注意的是EMC接口規(guī)定了SDRAM的突發(fā)長度，對于16位傳輸位寬，起突發(fā)長度為8，對于32位傳輸位寬，其突發(fā)長度為4。
還有一個寄存器的配置需要說明一下：精確的延時調(diào)整寄存器的配置，這個寄存器用于精確調(diào)整EMC驅(qū)動SDRAM的時序中的命令延時，該延時寄存器是以250ps為增量進行配置的，對于這個寄存器的設(shè)置需要根據(jù)外部存儲芯片以及實際的硬件電路設(shè)計來定，具體的最合適的值用戶需要通過軟件調(diào)試來得到。
容易出錯的幾個點： ◆ 電路上對于BANK位選擇引腳的連接，BANK選擇位BA0和BA1引腳依次連接到EMC接口的A13和A14引腳； ◆ 精確的延時調(diào)整寄存器的設(shè)置：根據(jù)具體的硬件電路來判別，最合適的值需要調(diào)試才能得到，網(wǎng)上有相關(guān)的找出最合適的值的程序設(shè)計； ◆ 模式寄存器的移位值設(shè)置：根據(jù)以上提供的公式來計算，得到正確的值。
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