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單片機可控硅移相控制交流電原理 帶源程序

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ID:37147 發表于 2017-5-22 11:36 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
利用業余時間,研究出來的移相控制技術,若有不對的地方,還請大家指出。

可控硅移相控制交流電原理:
工作原理:我們知道220V市電的頻率是50HZ,周期就是20ms,上下半波各占10ms,所以我們想對交流電進行控制的話,
在交流電每次過零點的時候,在0-10ms之間內做個延時,比如在交流每次過零點后延時3ms,3ms后觸發可控硅的導通就行。
改變延時的時間即可改變負載得到的電壓大小。

本電路有2種觸發方式,一種利用RC充放電實現的控制,這種控制是使可控硅工作在2、3象限。另外一種是利用MOC3021實現控制,使可控硅工作在1、3象限。
可控硅三、四象限.png 可控硅一、二象限.png
單片機最好選用外部中斷帶上下沿同時觸發中斷功能的單片機。以配合過零檢測電路使用。當然只有選擇只帶下降沿的也行,但是程序要寫好。
本程序無需更改,均適用這2個觸發控制電路

電路原理圖:
0.png

過零檢測波形:
0.png

Altium Designer畫的原理圖如下:(51hei附件中可下載工程文件)
0.png

單片機驅動可控硅(帶過零檢測)源程序如下:
STC15W408AS外部中斷上下沿均可測試
  1. #include <STC15F2K60S2.H> //STC15系列單片機頭文件都是這個。
  2. #define uchar unsigned char
  3. #define uint unsigned int
  4. uchar num=0;
  5. sbit pwm=P1^1;//可控硅位
  6. void main()
  7. {                  
  8.         TMOD=0x01;
  9.         TH0=0xff;//定時0.1ms
  10.         TL0=0x9c;         
  11.         EA=1;
  12.         ET0=1;
  13.         EX0=1;         
  14.         IT0=0;//必須設外部中斷觸發方式為上升沿下降沿同時觸發。STC最新15系列單片機外部中斷INT0口有上下沿同時觸發功能
  15.         pwm=1;
  16.         while(1);
  17. }                  
  18. void t0() interrupt 1
  19. {
  20.         unsigned char i;
  21.         TH0=0xff;
  22.         TL0=0x9c;
  23.         num++;
  24.         if(num==30)                //改變num的值即可改變移相觸發時間,即改變負載功率大小。num的范圍:0<num<100
  25.                 {
  26.                         TR0=0;
  27.                         pwm=0;        //觸發MOC3021導通,即觸發可控硅導通
  28.                         for(i=0;i<2;i++);//延時2us
  29.                         pwm=1;        //延時2us之后,關掉脈沖輸出,因為可控硅在非過零點情況下觸發信號丟失,會繼續保持導通。
  30.                        
  31. ……………………

  32. …………限于本文篇幅 余下代碼請從51黑下載附件…………
復制代碼
0.png

所有資料51hei提供下載(詳細教程與源碼還附帶一些網上搜集的相關資料方便大家):
可控硅移相控制原理.zip (614.76 KB, 下載次數: 954)



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ID:1127390 發表于 2024-12-3 08:32 | 顯示全部樓層
學習一下!
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ID:1017706 發表于 2024-11-25 15:16 | 顯示全部樓層
這個是不是可以應用在電風扇上面?
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ID:1017706 發表于 2024-11-25 15:15 | 顯示全部樓層
這個是不是可以應用的電風扇上面
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ID:884031 發表于 2024-5-17 22:32 | 顯示全部樓層
謝謝提供,剛好想用單片機控制電烙鐵
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ID:1030163 發表于 2024-5-12 10:38 | 顯示全部樓層
謝謝分享,學到了很多東西!
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ID:1064915 發表于 2024-3-29 11:48 | 顯示全部樓層
雙向可控硅開啟的條件為:雙向可控硅第一陽極T1與第二陽極T2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和第一陽極T1間加有正負極性不同的觸發電壓,就可觸發導通呈低阻狀態。
雙向可控硅關閉的條件為:雙向可控硅一旦導通,即使失去G極觸發電壓,也能繼續保持導通狀態。只有當第一陽極T1、第二陽極T2電流減小,小于維持電流或T1、T2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發電壓方可導通。
在其電特性參數中可以看到門極觸發電流、觸發電壓分了I、II、III、IV,這里引入了一個概念,雙向可控硅按其門極G與控制極T2的電壓正負關系(即VGT1的電壓正負,VT2T1的電壓正負),分為三象限可控硅和四象限可控硅:
82650c0d8a5e4da39c81b8b1ba3aff0d.png
由于生產工藝等問題使可控硅第四象限需要的觸發電流較大,以及容易誤觸發等原因,三象限可控硅是四象限可控硅的優化產品,所以直接將第四象限給屏蔽了
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ID:257033 發表于 2024-3-29 09:19 | 顯示全部樓層
gongzhu 發表于 2024-3-13 13:34
本來就有降壓變壓器了,為何過零不從低壓端取?

沒有變壓器,應該是5V開關電源
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ID:910662 發表于 2024-3-19 08:30 | 顯示全部樓層
輸出只是半波吧,因為過零信號只取了一半,怎么沒有人發現?
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ID:90212 發表于 2024-3-13 13:34 | 顯示全部樓層
本來就有降壓變壓器了,為何過零不從低壓端取?
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ID:34149 發表于 2023-6-28 11:13 | 顯示全部樓層
挺好的!原理分析透徹
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ID:1063561 發表于 2023-6-25 16:19 | 顯示全部樓層
下來學習一下。51黑有你很精彩!!!
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ID:161722 發表于 2023-6-18 00:01 | 顯示全部樓層
感謝分享,正好要用到可控硅,學習一下
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ID:201160 發表于 2023-2-24 21:27 | 顯示全部樓層
51很少出控制交流的文章了,比如交流電機,變頻電機NTC,頂你
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ID:1054507 發表于 2022-12-11 15:43 | 顯示全部樓層

好評,學習了
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ID:462629 發表于 2022-3-6 23:08 | 顯示全部樓層
有3相實用的電路嗎
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ID:129023 發表于 2021-10-12 08:41 | 顯示全部樓層
好辦法,好資料
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ID:97678 發表于 2021-8-12 09:33 | 顯示全部樓層
我用于驅動單相電機時候,啟動的時候,電機噪音很大,是什么原因?可以解決嗎?
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ID:941265 發表于 2021-8-10 16:01 | 顯示全部樓層
好資料,51黑有你更精彩!!!
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ID:416382 發表于 2021-8-10 12:43 | 顯示全部樓層
yanstay 發表于 2019-9-4 08:28
有三相的相序檢測方面的嗎?

應該和這個差不多 加兩個中斷吧
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ID:416382 發表于 2021-8-10 12:42 | 顯示全部樓層
三相的道理應該差不多
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ID:902111 發表于 2021-4-7 21:23 | 顯示全部樓層
好評,幫頂,學習了
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ID:285514 發表于 2020-12-13 14:40 | 顯示全部樓層
好資料 問題一直困擾啊  終于找到了
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ID:725855 發表于 2020-4-9 21:31 | 顯示全部樓層
不錯的資料
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ID:499088 發表于 2020-2-7 14:22 | 顯示全部樓層
以前做過三相電鍍電源的觸發板。現在都是高頻電源了。
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ID:46228 發表于 2020-2-6 10:00 來自觸屏版 | 顯示全部樓層
好資料,51黑有你更精彩!!!
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ID:347196 發表于 2020-1-14 18:44 | 顯示全部樓層
謝謝,不錯的帖子學習一下!
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ID:97678 發表于 2020-1-13 11:35 | 顯示全部樓層
看看,學習一下。
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ID:684386 發表于 2020-1-13 08:41 | 顯示全部樓層
學習了
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ID:455872 發表于 2019-12-3 10:58 | 顯示全部樓層
資料挺好,對于剛接觸可控硅的小白挺合適。
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ID:285863 發表于 2019-11-5 19:35 | 顯示全部樓層
好資料,51黑有你更精彩!!!
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ID:636107 發表于 2019-11-5 16:42 來自觸屏版 | 顯示全部樓層
謝謝超級棒
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ID:390082 發表于 2019-9-4 08:28 | 顯示全部樓層
有三相的相序檢測方面的嗎?
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ID:65956 發表于 2019-6-3 17:25 | 顯示全部樓層
這樣的過零檢測電路風險太大,只要三極管擊穿,單片機很容易燒,建議接L的1M電阻用多個電阻串聯代替,或用光耦隔離,形成單片機完全可隔離方案更佳
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ID:386691 發表于 2019-5-31 10:49 | 顯示全部樓層
很不錯的資料,謝謝!
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ID:56665 發表于 2019-5-28 15:02 | 顯示全部樓層
謝謝分享!
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ID:282850 發表于 2019-5-28 14:26 | 顯示全部樓層
一如即往,對文字部分有興趣,但電路問題很多,
1、移相部分高壓、低壓沒有隔離;
2、觸發部分不相信在某象限可以高壓、低壓不隔離;
精神可嘉,做為研究可以,但單片機+可控硅,有點復雜化。原以為是ABC三相移相。
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ID:515149 發表于 2019-5-28 13:40 | 顯示全部樓層
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ID:470155 發表于 2019-4-16 10:43 | 顯示全部樓層
為什么要在可控硅那加一個330的電阻
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ID:403593 發表于 2019-3-14 20:45 | 顯示全部樓層
感謝樓主分享,正好想做一個玩玩
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ID:490721 發表于 2019-3-14 14:52 | 顯示全部樓層
感謝!非常好!
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