單片機可控硅移相控制交流電原理帶源程序

ID:37147 · 發表于 2017-5-22 11:36

利用業余時間，研究出來的移相控制技術，若有不對的地方，還請大家指出。

可控硅移相控制交流電原理：
工作原理：我們知道220V市電的頻率是50HZ，周期就是20ms,上下半波各占10ms，所以我們想對交流電進行控制的話，
在交流電每次過零點的時候，在0-10ms之間內做個延時，比如在交流每次過零點后延時3ms，3ms后觸發可控硅的導通就行。
改變延時的時間即可改變負載得到的電壓大小。

本電路有2種觸發方式，一種利用RC充放電實現的控制，這種控制是使可控硅工作在2、3象限。另外一種是利用MOC3021實現控制，使可控硅工作在1、3象限。
可控硅三、四象限.png

單片機最好選用外部中斷帶上下沿同時觸發中斷功能的單片機。以配合過零檢測電路使用。當然只有選擇只帶下降沿的也行，但是程序要寫好。
本程序無需更改，均適用這2個觸發控制電路

電路原理圖：

過零檢測波形：

Altium Designer畫的原理圖如下：(51hei附件中可下載工程文件)

單片機驅動可控硅（帶過零檢測）源程序如下:
STC15W408AS外部中斷上下沿均可測試

#include <STC15F2K60S2.H> //STC15系列單片機頭文件都是這個。
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
uchar num=0;
sbit pwm=P1^1;//可控硅位
void main()
{
TMOD=0x01;
TH0=0xff;//定時0.1ms
TL0=0x9c;
EA=1;
ET0=1;
EX0=1;
IT0=0;//必須設外部中斷觸發方式為上升沿下降沿同時觸發。STC最新15系列單片機外部中斷INT0口有上下沿同時觸發功能
pwm=1;
while(1);
}
void t0() interrupt 1
{
unsigned char i;
TH0=0xff;
TL0=0x9c;
num++;
if(num==30) //改變num的值即可改變移相觸發時間，即改變負載功率大小。num的范圍：0<num<100
{
TR0=0;
pwm=0; //觸發MOC3021導通，即觸發可控硅導通
for(i=0;i<2;i++);//延時2us
pwm=1; //延時2us之后，關掉脈沖輸出，因為可控硅在非過零點情況下觸發信號丟失，會繼續保持導通。
……………………
…………限于本文篇幅余下代碼請從51黑下載附件…………

復制代碼

所有資料51hei提供下載（詳細教程與源碼還附帶一些網上搜集的相關資料方便大家）:

可控硅移相控制原理.zip (614.76 KB, 下載次數: 954)

ID:1 · 發表于 2017-5-22 16:38

好資料，51黑有你更精彩!!!

ID:207116 · 發表于 2017-6-2 16:10

那么如何有個問題，正負半周切的角度可能大小不一樣，因為真實的器件是有差異的

ID:169021 · 發表于 2017-6-3 02:29

以前研究過單片機連可控硅移相控制白熾燈，老是閃，很久都沒有搞定，看了樓主的文章真是一下就豁然開朗啊，大贊一個.

ID:33544 · 發表于 2017-6-9 14:54

　好資料，51黑有你更精彩!!!

ID:97956 · 發表于 2017-9-17 09:25

謝謝~！

ID:170318 · 發表于 2017-9-22 08:20

謝謝，下來學習

ID:164988 · 發表于 2017-9-22 15:12

樓主威武，先謝謝分享，再下載學習。贊！

ID:158375 · 發表于 2017-9-23 08:39

怎么一部分是阻容隔離LN,你也太膽肥了吧

ID:203085 · 發表于 2017-10-23 11:09

正好需要這個控制電路，還有程序做參考。

ID:147195 · 發表于 2017-10-23 11:42

過零檢測部分用變壓器隔離就好了，安全

ID:242046 · 發表于 2017-10-23 11:47

好資料學習了

ID:251484 · 發表于 2017-11-20 16:20

感謝拿走研究下

ID:257033 · 發表于 2017-12-4 08:42

謝謝了下載看看

ID:257033 · 發表于 2017-12-4 08:49

資料不錯，可惜不能下載

ID:37147 · 發表于 2018-4-19 20:45

笨笨兔發表于 2017-9-23 08:39
怎么一部分是阻容隔離LN,你也太膽肥了吧

純屬為了實驗，主要目的是用單片機進行移相控制，

ID:37147 · 發表于 2018-4-19 20:45

pdjxck 發表于 2017-10-23 11:42
過零檢測部分用變壓器隔離就好了，安全

嗯嗯我這只是實驗，主要目的是測試單片機移相控制交流電

ID:331575 · 發表于 2018-5-23 22:22

謝謝分享，樓主，最近一直想做關于交流調速的實驗，真的是找的好辛苦

ID:287575 · 發表于 2018-5-23 23:48

改電路只能用于仿真和實驗而已，用在實際應用中不可能工作

ID:64253 · 發表于 2018-7-13 13:59

一直在找這樣的帖子，學習下

ID:398621 · 發表于 2018-9-16 13:24

不錯的帖子學習一下

ID:183811 · 發表于 2018-9-29 14:38

看一下

ID:277063 · 發表于 2018-10-25 09:32

好資料，51黑有你更精彩!!!

ID:199351 · 發表于 2018-11-23 22:32

需要通過調相法來決定負載的等效供電電壓的話，就必須使用非過零型光耦如MOC3022，這時需要一個交流過零檢測電路，根據過零檢測電路的輸出來確定驅動光耦的定時起點。

ID:458977 · 發表于 2018-12-31 15:01

感謝分享

ID:458534 · 發表于 2019-1-1 10:34

謝謝樓主分享，元旦快樂哈

ID:222949 · 發表于 2019-1-7 12:35

謝謝，不錯的帖子學習一下

ID:207116 · 發表于 2019-1-8 09:45

整個思路和我現在做的調光器不謀而合，你這個原理是可控硅前切相調壓。現在做LED的用后切的比較好。

ID:425460 · 發表于 2019-1-19 21:43

感謝！非常好！

ID:474367 · 發表于 2019-1-31 17:05

這里用MOC3041這種帶過零檢測的光耦是不是就有問題了？

ID:37147 · 發表于 2019-3-6 15:00

evechacha 發表于 2019-1-31 17:05
這里用MOC3041這種帶過零檢測的光耦是不是就有問題了？

你說什么問題

ID:490721 · 發表于 2019-3-14 14:52

感謝！非常好！

ID:403593 · 發表于 2019-3-14 20:45

感謝樓主分享，正好想做一個玩玩

ID:470155 · 發表于 2019-4-16 10:43

為什么要在可控硅那加一個330的電阻

ID:515149 · 發表于 2019-5-28 13:40

贊一個

ID:282850 · 發表于 2019-5-28 14:26

一如即往，對文字部分有興趣，但電路問題很多，
1、移相部分高壓、低壓沒有隔離；
2、觸發部分不相信在某象限可以高壓、低壓不隔離；
精神可嘉，做為研究可以，但單片機+可控硅，有點復雜化。原以為是ABC三相移相。

ID:56665 · 發表于 2019-5-28 15:02

謝謝分享！

ID:386691 · 發表于 2019-5-31 10:49

很不錯的資料，謝謝！

ID:65956 · 發表于 2019-6-3 17:25

這樣的過零檢測電路風險太大，只要三極管擊穿，單片機很容易燒，建議接L的1M電阻用多個電阻串聯代替，或用光耦隔離，形成單片機完全可隔離方案更佳

ID:390082 · 發表于 2019-9-4 08:28

有三相的相序檢測方面的嗎？

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